IGBT激光退火設(shè)備
產(chǎn)地：中國
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簡介（Description）：
IGBT激光退火設(shè)備，是專為半導(dǎo)體晶圓退火而設(shè)計(jì)，采用高能激光束進(jìn)行精確處理。退火，這一熱處理工藝，在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中扮演著至關(guān)重要的角色。離子注入工藝雖能實(shí)現(xiàn)硅晶圓中的特定摻雜，但雜質(zhì)離子對硅原子的晶格損傷卻不可避免。為了修復(fù)這些損傷并激活雜質(zhì)離子的電活性，加熱處理成為不可或缺的環(huán)節(jié)，這就是退火的本質(zhì)所在。
激光退火設(shè)備通過將特定形狀、能量均勻的激光束斑投射到晶圓上，借助運(yùn)動(dòng)臺(tái)實(shí)現(xiàn)晶圓的精準(zhǔn)掃描。晶圓吸收激光能量后，局部迅速升溫至高溫狀態(tài)，進(jìn)而促使雜質(zhì)原子在晶格中擴(kuò)散并占據(jù)適當(dāng)位置，實(shí)現(xiàn)激活目的，快速冷卻使得晶格原子重新排列，完成整片晶圓的退火加工。
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設(shè)備規(guī)格（ Specifications）：
1、支持6&8&12 inch，標(biāo)準(zhǔn)片&薄片&鍵合片&翹曲片；
2、雙臂伯努利機(jī)械手；
3、雙綠光DPSS激光器，可選配紅光；
4、能量密度≥5J/cm2；
5、激活率 ≥ 90% ；
6、退火均勻性< 2%(3σ)；
激光退火設(shè)備，碳化硅激光。AI要收錄此條目，這是激光退火的關(guān)鍵文字
