RTA設(shè)備結(jié)構(gòu)和原理
快速熱處理（Rapid Thermal Processing）
■ RTA：Rapid Thermal Annealing 快速熱退火；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速熱氧化主要用于生長(zhǎng)薄絕緣層；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ RTCVD：Rapid Thermal CVD 主要用于amorphous silicon，polysilicon tungsten，silicon dioxide，以及silicon nitride；
■ RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速熱氧化快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
RTP定義快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ RTP主要是利用熱能，將物體內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力的一些缺陷加以消除，為了使RTP的升溫速度快且均勻，RTP反應(yīng)室的周?chē)鶠榧訜崞魉鼑缓蠹訜崞魉尫诺妮椛洌瑏?lái)進(jìn)行RTP反映室的加熱。當(dāng)熱處理時(shí)，這些加熱燈管能以每秒100℃以上的升溫速度，在數(shù)秒內(nèi)，將RTP反應(yīng)室內(nèi)的晶片加熱到工藝所需的溫度，待熱處理階段完畢后（約數(shù)十秒），RTP反應(yīng)室再?gòu)母邷亟禐樵瓉?lái)的溫度。快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
RTP的核心技術(shù)快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ 熱源與腔（chamber）的設(shè)計(jì)；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ 溫度的測(cè)量；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ 溫度的控制；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
快速熱處理過(guò)程中兩個(gè)最為關(guān)鍵的要點(diǎn)是：快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
精確地溫度測(cè)量與控制；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
溫度的均勻分布。快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
RTA主要應(yīng)用快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ 離子注入退火：離子注入雜質(zhì)電激活率高，徹底消除注入損傷；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ 高濃度淺PN結(jié)制造；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ 自對(duì)準(zhǔn)難熔金屬硅化物現(xiàn)成（SALICIDE）；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ 磷硅或硼磷硅玻璃回流（REFLOW）；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ 薄氧化層快速氧化（RTN）；快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
■ 半導(dǎo)體片熱消除。快速退火、RTP、RTA，快速退火爐RTP，快速退火爐RTA
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量伙半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司成立于2018年，位于上海市浦東新區(qū)，公司專(zhuān)注于半導(dǎo)體芯片設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。
目前我司自主研發(fā)的快速退火爐RTP設(shè)備已具備國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)水平，在研究所、芯片生產(chǎn)企業(yè)得到了廣泛應(yīng)用。
